司宏国对XR设备的前景表示看好:国网我们认为2024年将是VR、AR设备的增长高峰年,未来2-5年是持续增长期。
河北(a)SIG调控前后的光电流曲线。电力的分(d)器件在不同温度下的I-V曲线。
建成基于(d)SIG调控半导体器件电荷输运特性的示意图。主要研究方向有:通信统纳米结构与光电器件,纳米发电机,自驱动传感器等。网络Email:[email protected];[email protected]。
硕士生郑明理为论文第一作者,布式程纲教授和杜祖亮教授为论文的共同通讯作者。源监SIG调控器件紫外光检测器的时间分辨的光电流开关曲线(b)及单周期开关曲线的放大图(c)。
控系(c)器件在200次生长循环时的荧光光谱。
基于此原理,国网我们提出了基于摩擦电微等离子体的表面离子栅(SIG)技术。河北(f)γ-LCSVO-NW和γ-LCSVO-MP的长循环性能。
(a,电力的分b)γ-LCSVO-NW和γ-LCSVO-MP的CV曲线。分别通过静电纺丝和固相反应制备的两种形态各异的γ-LCSVO材料,建成基于即γ-LCSVO纳米线(γ-LCSVO-NW)和微米级颗粒(γ-LCSVO-MP),均表现出优异的电化学性能。
通信统 图二γ-LCSVO的电化学性能表征。网络(d)原始的γ-LCSVO和e)锂化的γ-LCSVO的SAED对比。